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FIB测试
在线咨询品牌： 型号： 未知
FIB
FESEM
主机台
0.9nm at 30kV分辨密
2nm at 15kv and optimum wD5mm(30kV.1pA)
2.5nm at 1kV and optimm WD放大倍率
600x-500kx12x-1000kx束流1Pa-50nA
4pA-100nA加速电压30kV
0.1-30kV
Ga液态金属离电子枪肖特基热场发射型子源 (IS
1、TEM样品制备。
2、材料微观截面截取。
3、气相沉积（GIS）。
4、三维重构
1、样品大小5×5×0.8cm，当样品过大需切割取样。
2、样品需导电，不导电样品必须能喷金增加导电性
。
3、切割深度必须小于50微米。
