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在CZTS薄膜上使用ALD沉积Zn1-xSnxO（ZTO）缓冲层
提交方案截止日期：2023-09-30 预算：12.00 元 征集状态：已完结
在CZTS薄膜上使用ALD沉积ZTO缓冲层薄膜，以去离子水为氧化剂，氩气为载气沉积ZTO。水和 Zn(C2H5)2前驱体均保存在室温下， Sn(N(CH3)2)4前驱体加热到75℃,衬底温度为150℃；
沉积Zn/Sn比例为1:1, 2:1, 3:1, 4:1, 5:1, 6:1
每个比例下分别沉积ZTO的厚度为10nm和20nm
沉积Zn/ Sn: Ar: H2O: Ar脉冲长度为0.06/0.15:10:0.06:10s
